在此，刘强报告了一种使用皱褶MXene薄膜的可拉伸摩擦纳米发电机（TENG）压力/应变传感器，刘强该薄膜通过将MXene墨水刷涂到预拉伸的乳胶基材上然后释放而引入。

此外，东壕东三维石墨烯上存在不同大小的孔，如单个石墨烯片中的平面内微孔或介孔，可提供丰富的存储活性位点。近年来，气京虽然发表了大量关于三维石墨烯材料的制备和能量相关应用的综述论文，气京但几乎都集中在三维石墨烯泡沫或气凝胶材料上，而对三维石墨烯粉末材料的讨论很少。

同时，工宿光一些异原子还可以通过破坏石墨烯层的平面惯性来增加无序度和活性位，从而提高比电容和比能量。如Dunn方法所证实的，舍曝BNP-C在总电容中贡献了高比例的假电容（44.9%）（图8F和G），这主要是由于B基团的额外修饰。异原子掺杂与三维石墨烯结构的相互关系:3-D石墨烯泡沫的制备工艺严格，刘强产品纯度高，但存在孔隙率大、力学性能差、体积密度低等缺点。

所制备的N，东壕东S，东壕东P-HHGO显示多层海绵状三维网络结构（见图7B），在2MKOH电解液中1Ag-1下提供295Fg-1的高比电容，以及优异的循环稳定性，10000次循环后电容保持率为93.5%。通常，气京高扫描速率下总比电容中的大EDLC电容贡献证实了所制备的电极材料具有大的可接近表面积、优异的电子传导性和快速的离子扩散通道。

三维形态和分级多孔概念赋予了超快电荷存储动力学，工宿光但仍然存在超快电容差和循环稳定性不足的问题。

目前用于制备掺杂石墨烯的方法主要有水热法或溶剂热法、舍曝电化学掺杂法、高温气固反应(或热解反应)法、化学气相沉积法。PCNB具有可分散的三维粉末结构(高堆积密度)、刘强高比表面积(1342.9m2·g-1)、中等的磷掺杂含量(1.8At%)，以及碳、磷、氧元素的均匀分布(见图6A-D)。

本文旨在为掺杂异原子的三维石墨烯材料的设计、东壕东制备和性能优化提供理论指导，为未来超级电容器的实际应用奠定基础。气京一种是通过使用气体或小分子作为碳和异原子前体直接合成的石墨烯的原位异原子掺杂。

另一方面，工宿光不同的掺杂方法和掺杂元素对3-D石墨烯材料的结构和形貌有不同的影响。BNP-C电极在1.0MH2SO4中，舍曝在0.5Ag-1下具有518Fg-1的比电容和速率电容，在100Ag-1下具有260Fg-1的比电容和速率电容。